yarımkeçiricilər sözü azərbaycan dilində

Yarımkeçiricilər — keçiricilərlə dielektriklər arasında aralıq vəziyyət tutan materiallar. Yarımkeçiricilərin elektrik keçiriciliyi və ya xüsusi müqaviməti xarici təsirlərdən (temperatur, aşqarlar, işıqlanma, xarici elektrik sahəsi və s.) güclü asılıdır. Yarımkeçiricinin əsas xüsusiyyəti temperaturun artması ilə keçiriciliyin artmasıdır. Temperaturu mütləq sıfıra yaxın olan yarımkeçiricilər dielektrik xassəsi göstərir. Onun keçirici xassələrini kristal quruluşa aşqar daxil etməklə səmərəli şəkildə dəyişmək mümkündür. Mendeleyev cədvəlində orta qrupun 12 elementi (B, C, Si, P, S, Ge, As, Se, Sn, Sb, Te, I), habelə bir çox üzvi və qeyri- üzvi kimyəvi birləşmələr yarımkeçirici maddələrdir. Silisium əksər elektron sxemlərin istehsalı üçün vacib elementdir. Silisiumdan sonra qallium arsenid ən çox yayılmış yarımkeçiricidir və lazer diodlarında, günəş batareyalarında, mikrodalğa-tezlik inteqral sxemlərində və başqalarında geniş istifadə olunur. Təbii halda yarımkeçiricilər elektriki zəif keçirir, çünki valent zolağı elektronlarla dolmuş olur, bu da yeni elektronların daxil olmasına maneə törədir. aşqarlama və rəzələmə kimi bir neçə təkmil üsuldan istifadə etməklə özünü keçiricilər kimi aparan yarımkeçirici materiallar almaq mümkündür.

Amorf yarımkeçiricilər (A.y) — amorf maddə olub, yarımkeçirici xassələrinə malikdirlər. A.y.-kovalent A.y.-ə (Ge və Si, GaAs və s. amorf halında), halkogenid şüşələrə (məs., As31 Ge30 Se21 Те18), oksid şüşələrinə (məs., В2О5-P2О5) və dielektrik nazik təbəqələrə (SiOх, AL2О3, Si3 Н4 və s.) ayrılır. A.y.-nə yüksək leqirlənmiş kompensə edilmiş yarımkeçirici kimi də baxmaq olar ki, onun keçiricilik zonasının "dibi" və valent zonasının "tavanı" enib-qalxır, lakin bu dəyişmə (fluktuasiya) qadağan olunmuş zonanın eni ε {\displaystyle \varepsilon } D tərtibindədir. Keçiricilik zonasındakı elektronlar və valent zonasındakı deşiklər hündür çəpərlərlə ayrılmış potensial relyefin çuxurlarında yerləşən "damcılara" ayrılır. Aşağı temperaturlarda elektrik keçiriciliyi sıçrayışlı xarakter daşıyır. Daha yüksək temperaturlarda A.y.-in elektrik keçiriciliyi elektronların delokallaşmış hal oblastına istiliklə ötürülməsi ilə əlaqədardır. A.y. bir sıra nadir xassələrə malikdirlər ki, bu da onların müxtəlif praktiki tətbiqi üçün imkanlar yaradır. Halkogenid şüşələr spektrin İQ oblastındakı şəffaflığına, yüksək müqavimətinə və fotohəssaslığına görə ötürücü televiziya borularının elektrofotoqrafik lövhələrinin hazırlanması üçün və holoqram yazılarında tətbiq olunur.

N və P tipli yarımkeçiricilər — Keçiricilik qabiliyyəti tənzimlənən silisium və ya germanium, elektron sxem elementlərinin istehsalında istifadə edilir. Yarimkeçirici materiallar, cərəyanı yaxşı keçirməzlər. Əslində nə yaxşı keçirici, nədə yaxşı bir dielektrikdirlər. Çünki valent zonasındakı boşluqların və keçirici zonasındakı sərbəst elektronların sayı məhduddur. Saf silisium və ya germanium mütləq sərbəst elektron və ya boşluq sayı artırılaraq keçiricilik qabiliyyəti tənzimlənməlidir. Germanium və ya silisiumun keçiricilik qabiliyyəti isə ancaq saf materiala aşqar maddəsi əlavə olunması ilə təmin edilir. Aşqar maddəsi əlavə olunaraq yaradılan iki əsas yarimkeçirici material vardır. Bunlara; N-tipli və P-tipli yarimkeçiricilər deyilir. Elektron sxem elementlərinin istehsalında bu iki maddədən istifadə edilir. Silisium və germanium keçiricilik qabiliyyəti idarəli olaraq artırıla bilir.